BSS159NH6327XTSA1
Numărul de produs al producătorului:

BSS159NH6327XTSA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

BSS159NH6327XTSA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Inventar:

12802027
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

BSS159NH6327XTSA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 26µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
44 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
BSS159N H6327
SP000639076
BSS159N H6327-DG
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
BSS159NH6906XTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
19956
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS159NH6906XTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.23
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
texas-instruments

CSD17579Q3A

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

infineon-technologies

AUIRF2805

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

epc

EPC2053

GANFET N-CH 100V 48A DIE

infineon-technologies

BSC883N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 34V 17A/98A TDSON