Numărul de produs al producătorului:
BSS139H6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS139H6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
13483 Piese Noi Originale În Stoc
12802560
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS139H6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 100µA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 56µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
76 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
BSS139
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSS139 H6327TR-DG
BSS139H6327
BSS139H6327XTSA1TR
BSS139 H6327CT-DG
BSS139 H6327-DG
SP000702610
BSS139H6327XTSA1CT
BSS139H6327XTSA1DKR
BSS139 H6327CT
BSS139 H6327DKR
BSS139 H6327
BSS139 H6327DKR-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPW60R099CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
IRFR3707ZCTRLP
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
