Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
BSS123L6327HTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS123L6327HTSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
RFQ Online
12800463
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS123L6327HTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
69 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
BSS123L6327HTSA1-DG
Fișe tehnice
BSS123L6327HTSA1
Informații suplimentare
Alte nume
BSS123L6327INTR-DG
BSS123L6327
BSS123 L6327
BSS123L6327INTR
BSS123L6327HTSA1CT
BSS123L6327XT
BSS123L6327HTSA1TR
BSS123L6327INDKR-DG
BSS123L6327INCT-DG
BSS123L6327INDKR
BSS123L6327HTSA1DKR
BSS123 L6327-DG
SP000084574
BSS123L6327INCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSS123L
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS123L-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSS123
PRODUCĂTOR
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
CANTITATE DISPONIBILĂ
143884
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS123-DG
PREȚ UNIC
0.01
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
BSS123,215
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
145643
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS123,215-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BVSS123LT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
16032
DiGi NUMĂR DE PARTE
BVSS123LT1G-DG
PREȚ UNIC
0.05
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSS123Q-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
6000
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS123Q-7-DG
PREȚ UNIC
0.02
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
IPA90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
IPI06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3