Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
BSS119L6433HTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS119L6433HTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
RFQ Online
12801309
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS119L6433HTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
78 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
BSS119L6433HTMA1-DG
Fișe tehnice
BSS119L6433HTMA1
Informații suplimentare
Alte nume
BSS119 L6433-DG
SP000247291
BSS119 L6433DKR-DG
BSS119 L6433
BSS119 L6433CT-DG
BSS119 L6433DKR
BSS119L6433HTMA1TR
BSS119L6433HTMA1DKR
BSS119 L6433TR-DG
BSS119 L6433CT
BSS119L6433
BSS119L6433HTMA1CT
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSS123L
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS123L-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSS123
PRODUCĂTOR
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
CANTITATE DISPONIBILĂ
143884
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS123-DG
PREȚ UNIC
0.01
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSS123,215
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
145643
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS123,215-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSS123-7-F
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
288176
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS123-7-F-DG
PREȚ UNIC
0.02
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
ZVN3310FTA
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
6862
DiGi NUMĂR DE PARTE
ZVN3310FTA-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3