Numărul de produs al producătorului:
BSP92PH6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSP92PH6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
Descriere detaliată:
P-Channel 250 V 260mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
11041 Piese Noi Originale În Stoc
12801012
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSP92PH6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
260mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
104 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-4
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
BSP92PH6327
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001058796
BSP92PH6327XTSA1TR
BSP92PH6327XTSA1CT
INFINFBSP92PH6327XTSA1
BSP92PH6327XTSA1DKR
2156-BSP92PH6327XTSA1
BSP92PH6327XTSA1-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPN70R900P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
IPB80N07S405ATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
IPI070N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
