Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
BSP372L6327HTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSP372L6327HTSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
RFQ Online
12833464
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSP372L6327HTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 1.7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±14V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-4
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
BSP372L6327HTSA1-DG
Fișe tehnice
BSP372L6327HTSA1
Informații suplimentare
Alte nume
BSP372L6327INCT
BSP372L6327INCT-DG
BSP372 L6327-DG
BSP372L6327INDKR-DG
2156-BSP372L6327HTSA1-ITTR
INFINFBSP372L6327HTSA1
BSP372L6327HTSA1DKR
BSP372L6327
BSP372L6327HTSA1TR
BSP372L6327HTSA1CT
BSP372L6327INTR
BSP372L6327XT
BSP372L6327INDKR
BSP372L6327INTR-DG
SP000087064
BSP372 L6327
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FQT7N10LTF
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
55
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQT7N10LTF-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMN10H220LE-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
6941
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN10H220LE-13-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FQT7N10TF
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
11974
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQT7N10TF-DG
PREȚ UNIC
0.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSP372NH6327XTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
15063
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSP372NH6327XTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.30
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK9225-55A,118
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
2SK4065-DL-E
MOSFET N-CH 75V 100A SMP-FD
2SK4196LS-1E
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3FS
PMCM4402UPEZ
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP