Numărul de produs al producătorului:
BSP300L6327HUSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSP300L6327HUSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventar:
12830416
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSP300L6327HUSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT223-4-21
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSP300L6327HUSA1TR
INFINFBSP300L6327HUSA1
BSP300L6327XT
BSP300 L6327
2156-BSP300L6327HUSA1-ITTR
BSP300 L6327-DG
SP000089201
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK9107-55ATE,118
MOSFET N-CH 55V 75A SOT426
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
BUK763R9-60E,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
