Numărul de produs al producătorului:
BSO080P03SHXUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSO080P03SHXUMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventar:
4973 Piese Noi Originale În Stoc
12798547
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSO080P03SHXUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.6A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5890 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.79W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-DSO-8
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
BSO080
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000613798
BSO080P03S HCT
BSO080P03SH
BSO080P03SHXUMA1CT
BSO080P03S H-DG
BSO080P03SHXUMA1TR
BSO080P03S HDKR-DG
BSO080P03SHXUMA1DKR
BSO080P03S HCT-DG
BSO080P03S HTR-DG
BSO080P03S HDKR
BSO080P03S H
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
AUIRF6218S
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
AUXAKF1405ZS-7P
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
