Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
BSL806NL6327HTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSL806NL6327HTSA1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Inventar:
RFQ Online
12803319
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
y
J
T
f
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSL806NL6327HTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 11µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 2.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
259pF @ 10V
Putere - Max
500mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSOP6-6
Numărul de bază al produsului
BSL806
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
BSL806NL6327HTSA1-DG
Fișe tehnice
BSL806NL6327HTSA1
Informații suplimentare
Alte nume
BSL806NL6327
SP000464844
BSL806N L6327
BSL806N L6327CT
2156-BSL806NL6327HTSA1-ITTR
BSL806N L6327-DG
BSL806NL6327HTSA1CT
BSL806N L6327TR-DG
BSL806N L6327DKR-DG
BSL806N L6327DKR
BSL806N L6327CT-DG
BSL806NL6327HTSA1TR
IFEINFBSL806NL6327HTSA1
BSL806NL6327HTSA1DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF8910GPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
IRF7752TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
IRF9395MTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC
IRF7351PBF
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO