Numărul de produs al producătorului:
BSF077N06NT3GXUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSF077N06NT3GXUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 13A/56A 2WDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 56A (Tc) 2.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventar:
12798401
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSF077N06NT3GXUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta), 56A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 33µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pachet / Carcasă
3-WDSON
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSF077N06NT3 GDKR
BSF077N06NT3 GTR-DG
BSF077N06NT3 GDKR-DG
SP000605968
BSF077N06NT3 GCT-DG
BSF077N06NT3 G-DG
BSF077N06NT3GXUMA1CT
BSF077N06NT3 G
BSF077N06NT3G
BSF077N06NT3GXUMA1DKR
BSF077N06NT3GXUMA1TR
BSF077N06NT3 GCT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRLS3036-7TRL
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
AUIRL7732S2TR
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
BSC065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
