Numărul de produs al producătorului:
BSF050N03LQ3GXUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSF050N03LQ3GXUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 15A/60A 2WDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventar:
12848259
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSF050N03LQ3GXUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Ta), 60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pachet / Carcasă
3-WDSON
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSF050N03LQ3 GTR-DG
BSF050N03LQ3 GCT-DG
BSF050N03LQ3 G
BSF050N03LQ3 G-DG
BSF050N03LQ3 GCT
BSF050N03LQ3G
BSF050N03LQ3GXUMA1DKR
SP000604522
BSF050N03LQ3 GDKR-DG
BSF050N03LQ3GXUMA1CT
BSF050N03LQ3GXUMA1TR
BSF050N03LQ3 GDKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOK20N60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
IRF644B-FP001
MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3
FDP19N40
MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
