Numărul de produs al producătorului:
BSD840NH6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSD840NH6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventar:
54248 Piese Noi Originale În Stoc
13063912
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSD840NH6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Producător
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
880mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 1.6µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.26nC @ 2.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 10V
Putere - Max
500mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT363-PO
Numărul de bază al produsului
BSD840
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSD840N H6327CT
BSD840NH6327
BSD840N H6327TR-ND
BSD840N H6327CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR
BSD840NH6327XTSA1CT
BSD840N H6327DKR
SP000917654
BSD840N H6327-ND
BSD840NH6327XT
BSD840N H6327DKR-ND
BSD840N H6327
BSD840NH6327XTSA1TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSO204PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
IPG20N06S4L14AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
IPG20N06S415ATMA2
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON