Numărul de produs al producătorului:
BSC600N25NS3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC600N25NS3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
8338 Piese Noi Originale În Stoc
12799625
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC600N25NS3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC600
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000676402
BSC600N25NS3GATMA1TR
BSC600N25NS3 GTR
BSC600N25NS3G
BSC600N25NS3GATMA1DKR
BSC600N25NS3 GDKR
BSC600N25NS3GATMA1CT
BSC600N25NS3 G-DG
BSC600N25NS3 GTR-DG
BSC600N25NS3 GCT
BSC600N25NS3 GDKR-DG
BSC600N25NS3 G
BSC600N25NS3 GCT-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
