Numărul de produs al producătorului:
BSC360N15NS3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC360N15NS3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
22146 Piese Noi Originale În Stoc
12800770
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC360N15NS3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 45µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC360
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC360N15NS3 GCT-DG
BSC360N15NS3GXT
SP000778134
BSC360N15NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC360N15NS3GATMA1CT
BSC360N15NS3 GTR-DG
BSC360N15NS3GATMA1DKR
BSC360N15NS3 G
BSC360N15NS3G
BSC360N15NS3 GCT
BSC360N15NS3 GDKR-DG
BSC360N15NS3 GDKR
BSC360N15NS3GATMA1TR
BSC360N15NS3 G-DG
BSC360N15NS3GATMA1CT-DGTR-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPC95R750P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB240N03S4LR8ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
IPC60R099C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
