Numărul de produs al producătorului:
BSC320N20NS3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC320N20NS3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 36A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
23714 Piese Noi Originale În Stoc
12798858
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC320N20NS3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC320
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC320N20NS3 GDKR
BSC320N20NS3 G-DG
SP000676410
BSC320N20NS3GATMA1CT
BSC320N20NS3 GDKR-DG
BSC320N20NS3 GCT-DG
BSC320N20NS3 GCT
BSC320N20NS3GATMA1TR
BSC320N20NS3 GTR-DG
BSC320N20NS3G
BSC320N20NS3 GTR
BSC320N20NS3 G
BSC320N20NS3GATMA1DKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRF7484Q
MOSFET N CH 40V 14A 8-SO
BSP315PE6327T
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
BSB014N04LX3GXUMA1
MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON