Numărul de produs al producătorului:
BSC265N10LSFGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC265N10LSFGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
13914 Piese Noi Originale În Stoc
13063880
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
nlmP
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC265N10LSFGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
26.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 43µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC265
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000379618
BSC265N10LSFGATMA1TR
BSC265N10LSFGATMA1CT
BSC265N10LSFGATMA1DKR
BSC265N10LSF G-ND
BSC265N10LSF G
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUZ80A
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
BSS84PW
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
BSS138WH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
