Numărul de produs al producătorului:
BSC196N10NSGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC196N10NSGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
53243 Piese Noi Originale În Stoc
12836783
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC196N10NSGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 45A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 42µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC196
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC196N10NSGATMA1TR
BSC196N10NSGATMA1DKR
SP000379604
BSC196N10NS GTR-DG
BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GDKR
BSC196N10NS GDKR-DG
BSC196N10NSG
BSC196N10NS GCT-DG
BSC196N10NSGATMA1CT
BSC196N10NS G-DG
BSC196N10NS G
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQP8N60C
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3
FDPF7N50U-G
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
BSC059N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
