Numărul de produs al producătorului:
BSC150N03LDGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC150N03LDGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventar:
50841 Piese Noi Originale În Stoc
12798574
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC150N03LDGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
Putere - Max
26W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-4
Numărul de bază al produsului
BSC150
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC150N03LD GTR
BSC150N03LDGATMA1DKR
BSC150N03LDGATMA1TR
BSC150N03LD G-DG
SP000359362
BSC150N03LD GDKR
BSC150N03LD GCT
BSC150N03LD G
BSC150N03LDG
BSC150N03LD GDKR-DG
BSC150N03LD GTR-DG
BSC150N03LD GCT-DG
BSC150N03LDGATMA1CT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRFN8459TR
MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
AUIRF7309Q
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
AUIRF7341Q
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
