Numărul de produs al producătorului:
BSC123N10LSGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC123N10LSGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
27828 Piese Noi Originale În Stoc
12835254
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC123N10LSGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10.6A (Ta), 71A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 72µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
114W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC123
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC123N10LS GTR-DG
BSC123N10LSGATMA1CT
BSC123N10LS GDKR
BSC123N10LS GDKR-DG
BSC123N10LS G
BSC123N10LS GTR
BSC123N10LS G-DG
BSC123N10LS GCT-DG
BSC123N10LS GCT
BSC123N10LSGATMA1DKR
BSC123N10LSGATMA1TR
SP000379612
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS138LT3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7000-D26Z
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
3LP01SS-TL-EX
MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP
