BSC091N03MSCGATMA1
Numărul de produs al producătorului:

BSC091N03MSCGATMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

BSC091N03MSCGATMA1-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Inventar:

39335 Piese Noi Originale În Stoc
12946659
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

BSC091N03MSCGATMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Bulk
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-6
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
BSC091N03MSCGATMA1 Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
INFINFBSC091N03MSCGATMA1
2156-BSC091N03MSCGATMA1
Pachet standard
1,094

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FDC654P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

diodes

BSS127SSN-7

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59

national-semiconductor

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE

fairchild-semiconductor

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR