Numărul de produs al producătorului:
BSC0911NDATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC0911NDATMA1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Inventar:
4859 Piese Noi Originale În Stoc
12834514
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC0911NDATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A, 30A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 12V
Putere - Max
1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TISON-8
Numărul de bază al produsului
BSC0911
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC0911NDATMA1DKR
IFEINFBSC0911NDATMA1
2156-BSC0911NDATMA1
BSC0911NDATMA1CT
BSC0911NDATMA1TR
SP000934746
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRF7304QTR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
CPH6635-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.4A 6CPH
ECH8654-TL-HX
MOSFET
