Numărul de produs al producătorului:
BSC027N04LSGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC027N04LSGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
63448 Piese Noi Originale În Stoc
12842004
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC027N04LSGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 49µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC027
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC027N04LS GCT
BSC027N04LSGATMA1DKR
BSC027N04LS G-DG
BSC027N04LS GTR-DG
SP000354810
BSC027N04LSGATMA1TR
BSC027N04LS GCT-DG
BSC027N04LS GDKR
BSC027N04LS G
BSC027N04LS GDKR-DG
BSC027N04LS GTR
BSC027N04LSG
BSC027N04LSGATMA1CT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
NTMS4404NR2
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
2SK1374G0L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2
