Numărul de produs al producătorului:
BSC022N04LS6ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC022N04LS6ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
15210 Piese Noi Originale În Stoc
12799759
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC022N04LS6ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC022
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC022N04LS6ATMA1DKR
BSC022N04LS6ATMA1TR
SP001720024
BSC022N04LS6ATMA1CT
BSC022N04LS6ATMA1-DG
2156-BSC022N04LS6ATMA1TR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BTS244ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
BSP135L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
IPA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
