Numărul de produs al producătorului:
BSC020N03LSGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC020N03LSGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
18867 Piese Noi Originale În Stoc
12826494
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC020N03LSGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7200 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC020
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSC020N03LS G-DG
SP000237662
BSC020N03LSGATMA1TR
BSC020N03LS GDKR
SP000264746
BSC020N03LS GDKR-DG
BSC020N03LSGATMA1CT
BSC020N03LSGATMA1DKR
BSC020N03LS GTR-DG
BSC020N03LS GCT-DG
Q3390169
BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS G
BSC020N03LSGXT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIL08N03-TP
MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-6L
PSMN2R0-25MLDX
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
