Numărul de produs al producătorului:
BSC018N04LSGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC018N04LSGATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
32725 Piese Noi Originale În Stoc
12835939
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC018N04LSGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC018
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000388293
BSC018N04LS GDKR
BSC018N04LSGATMA1TR
BSC018N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC018N04LSGATMA1DKR
BSC018N04LS G
BSC018N04LS GCT-DG
BSC018N04LS GTR-DG
BSC018N04LSGATMA1CT
BSC018N04LS GDKR-DG
BSC018N04LS G-DG
BSC018N04LSG
BSC018N04LS GCT
BSC018N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDZ4670
MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
FDME410NZT
MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET
AUIRF2805S
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
