Numărul de produs al producătorului:
BSC014N06NSATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC014N06NSATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-17
Inventar:
14862 Piese Noi Originale În Stoc
12802204
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC014N06NSATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 120µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-17
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC014
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000924886
BSC014N06NSATMA1CT
BSC014N06NSATMA1TR
BSC014N06NSTR
BSC014N06NSDKR-DG
BSC014N06NS-DG
BSC014N06NSATMA1DKR
BSC014N06NSTR-DG
BSC014N06NS
BSC014N06NSCT-DG
BSC014N06NSDKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRF5210S
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
BSS127H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSL802SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
