Numărul de produs al producătorului:
BSC014N04LSATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSC014N04LSATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 32A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount SuperSO8
Inventar:
20563 Piese Noi Originale În Stoc
12799131
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSC014N04LSATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4300 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SuperSO8
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSC014
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000871196
BSC014N04LSATMA1DKR
BSC014N04LSTR
BSC014N04LSDKR
BSC014N04LSATMA1TR
BSC014N04LSTR-DG
BSC014N04LSATMA1CT
BSC014N04LSDKR-DG
BSC014N04LS-DG
BSC014N04LS
BSC014N04LSCT-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS84PH6433XTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSR315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
