Numărul de produs al producătorului:
BSB028N06NN3GXUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSB028N06NN3GXUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventar:
10013 Piese Noi Originale În Stoc
12839085
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSB028N06NN3GXUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Ta), 90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 102µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pachet / Carcasă
3-WDSON
Numărul de bază al produsului
BSB028
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSB028N06NN3 GDKR
BSB028N06NN3GXUMA1DKR
BSB028N06NN3G
BSB028N06NN3 GCT-DG
BSB028N06NN3 GCT
SP000605956
BSB028N06NN3 G
BSB028N06NN3 G-DG
BSB028N06NN3GXUMA1CT
BSB028N06NN3 GTR-DG
BSB028N06NN3 GDKR-DG
BSB028N06NN3GXUMA1TR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMS8848NZ
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
FDS6680
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
FDD9409L-F085
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
