Numărul de produs al producătorului:
AUIRLZ24NS
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AUIRLZ24NS-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12824328
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AUIRLZ24NS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001518210
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PHB21N06LT,118
PRODUCĂTOR
NXP USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
978
DiGi NUMĂR DE PARTE
PHB21N06LT,118-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2N7002W-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
MCQ4407-TP
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
MCQ9435-TP
MOSFET P-CH 30V 5.1A 8SOP
