Numărul de produs al producătorului:
AUIRFS6535TRL
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AUIRFS6535TRL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12798450
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AUIRFS6535TRL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
210W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
AUIRFS6535
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
AUIRFS6535TRLTR
SP001521690
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRFS3806TRL
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK
AUIRF1324S
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
AUIRF1010ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
