Numărul de produs al producătorului:
AUIRFR2307Z
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AUIRFR2307Z-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
12829234
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AUIRFR2307Z Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2190 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001522814
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD50N08S413ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4608
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD50N08S413ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BST82,215
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
PMV42ENER
MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
PSMN3R5-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
