Numărul de produs al producătorului:
AIMBG120R040M1XTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AIMBG120R040M1XTMA1-DG
Descriere:
SIC_DISCRETE
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 48A Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventar:
1629 Piese Noi Originale În Stoc
12989267
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AIMBG120R040M1XTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
48A
Caracteristică FET
-
Temperatura
-55°C ~ 175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7-12
Pachet / Carcasă
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numărul de bază al produsului
AIMBG120
Informații suplimentare
Alte nume
448-AIMBG120R040M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R040M1XTMA1TR
448-AIMBG120R040M1XTMA1CT
SP005411513
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC033N08NS5SCATMA1
TRENCH 40<-<100V
MCMN2014A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
PJMH120N60EC_T0_00601
600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
