Numărul de produs al producătorului:
AIMBG120R010M1XTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
AIMBG120R010M1XTMA1-DG
Descriere:
SIC_DISCRETE
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 187A Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventar:
810 Piese Noi Originale În Stoc
12988988
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AIMBG120R010M1XTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
187A
Caracteristică FET
-
Temperatura
-55°C ~ 175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7-12
Pachet / Carcasă
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numărul de bază al produsului
AIMBG120
Informații suplimentare
Alte nume
448-AIMBG120R010M1XTMA1TR
448-AIMBG120R010M1XTMA1CT
SP005411519
448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC110N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100V
IPC313N10N3RX1SA2
TRENCH >=100V
CMS3400-HF
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
