2N7002H6327XTSA2
Numărul de produs al producătorului:

2N7002H6327XTSA2

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

2N7002H6327XTSA2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Inventar:

302733 Piese Noi Originale În Stoc
12849239
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

2N7002H6327XTSA2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
20 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT23
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
2N7002

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2N7002H6327XTSA2CT
2N7002H6327XTSA2DKR
2N7002H6327XTSA2TR
SP000929182
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
onsemi

FQA17P10

MOSFET P-CH 100V 18A TO3P

alpha-and-omega-semiconductor

AON7536

MOSFET N-CH 30V 24A/68A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF7N65

MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F

alpha-and-omega-semiconductor

AOB11C60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO263