ICE15N60FP

Numărul de produs al producătorului:

ICE15N60FP

Product Overview

Producător:

IceMOS Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

ICE15N60FP-DG

Descriere:

Superjunction MOSFET

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 15A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventar:

1000 Piese Noi Originale În Stoc

13001992

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

ICE15N60FP Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

IceMOS Technology

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

15A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

59 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2064 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

35W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220FP

Pachet / Carcasă

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

5133-ICE15N60FP

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

SIHB6N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

onsemi

NTBG028N170M1

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

goford-semiconductor

G630J

N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.

icemos-technology

ICE10N60B

Superjunction MOSFET