Numărul de produs al producătorului:
IRF820
Product Overview
Producător:
Harris Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF820-DG
Descriere:
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
3895 Piese Noi Originale În Stoc
12941203
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF820 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerMESH™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
80W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF8
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRF820
HARHARIRF820
Pachet standard
503
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6892STRPBF
25V 999A DIRECTFET-LV
MTDF2N06HDR2
MOSFET N-CH 60V 1.5A MICRO8
IRF9143
MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
