Numărul de produs al producătorului:
IRF723
Product Overview
Producător:
Harris Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF723-DG
Descriere:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 350 V 2.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
79897 Piese Noi Originale În Stoc
12931654
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
t3Vf
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF723 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
350 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
HARHARIRF723
2156-IRF723
Pachet standard
386
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SJ634-S-TL-E
PCH 4V DRIVE SERIES
2SK1432
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SJ659-E
PCH 4V DRIVE SERIES