IRF351
Numărul de produs al producătorului:

IRF351

Product Overview

Producător:

Harris Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF351-DG

Descriere:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 350 V 15A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventar:

1804 Piese Noi Originale În Stoc
12931477
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRF351 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
350 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3
Pachet / Carcasă
TO-204AA, TO-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-IRF351
IRFIRFIRF351
Pachet standard
139

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nxp-semiconductors

BUK751R8-40E127

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF244

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

3LN01CPA-TB-E

NCH 1.5V DRIVE SERIES

sanyo

3LN03M-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET