GT400P10M
Numărul de produs al producătorului:

GT400P10M

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

GT400P10M-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 35A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventar:

800 Piese Noi Originale În Stoc
13239083
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

GT400P10M Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3073 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
106W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3141-GT400P10MCT
3141-GT400P10MTR
3141-GT400P10MDKR
Pachet standard
800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
goford-semiconductor

G170P06M

MOSFET P-CH 60V 65A TO-263

bruckewell

MS23N06A

N-Channel MOSFET,30V,5.8A,SOT-23

bruckewell

MS60P03

P-Channel MOSFET,60V,-60A,SOT-23

bruckewell

MS34N02

N-Channel MOSFET,30V,4.6A,SOT-23