GT110N06S
Numărul de produs al producătorului:

GT110N06S

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

GT110N06S-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8
Descriere detaliată:
N-Channel 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventar:

50000 Piese Noi Originale În Stoc
12975387
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

GT110N06S Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
4822-GT110N06STR
Pachet standard
4,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
goford-semiconductor

GT55N06D5

N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@

nexperia

PMV28ENER

PMV28ENE/SOT23/TO-236AB

micro-commercial-components

MCG53N06A-TP

N-CHANNEL MOSFET,DFN3333

vishay-siliconix

SIB4317EDK-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE