Numărul de produs al producătorului:
GC11N65K
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
GC11N65K-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Descriere detaliată:
N-Channel 11A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
12977630
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
GC11N65K Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
-
Serie
Cool MOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
179W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
4822-GC11N65KTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R8003KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
IRF730APBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
IRFBE20PBF-BE3
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
