G6N02L

Numărul de produs al producătorului:

G6N02L

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G6N02L-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 6A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

4374 Piese Noi Originale În Stoc

12949104

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

G6N02L Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Goford Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

TrenchFET®

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

12.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±12V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1140 pF @ 10 V

Caracteristică FET

Standard

Disiparea puterii (max)

1.8W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-23-3

Pachet / Carcasă

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

3141-G6N02LCT

3141-G6N02LTR

3141-G6N02LDKR

4822-G6N02LTR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

3 (168 Hours)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

goford-semiconductor

G6N02L

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L

goford-semiconductor

2302

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

goford-semiconductor

2302

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

diodes

2N7002W-7-F

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323