G60N04K
Numărul de produs al producătorului:

G60N04K

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G60N04K-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
Descriere detaliată:
N-Channel 60A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

90000 Piese Noi Originale În Stoc
12978219
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

G60N04K Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Informații suplimentare

Alte nume
4822-G60N04KTR
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
goford-semiconductor

06N06L

N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M

goford-semiconductor

G2312

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

goford-semiconductor

G2312

MOSFET N-CH 20V 5A SOT-23

goford-semiconductor

G23N06K

N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M