G400P06S
Numărul de produs al producătorului:

G400P06S

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G400P06S-DG

Descriere:

MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 6A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventar:

2895 Piese Noi Originale În Stoc
12988170
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

G400P06S Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2506 pF @ 30 V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
1.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
3141-G400P06SDKR
3141-G400P06SCT
4822-G400P06STR
3141-G400P06STR
Pachet standard
4,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

TK10E80W,S1X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5A80E,S4X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K16FV,L3F

PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8R2E06PL,S1X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-