Numărul de produs al producătorului:
G33N03D52
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G33N03D52-DG
Descriere:
N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount DFN5*6
Inventar:
4980 Piese Noi Originale În Stoc
12989592
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G33N03D52 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
782 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
29W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DFN5*6
Pachet / Carcasă
DFN5*6
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3141-G33N03D52TR
3141-G33N03D52DKR
4822-G33N03D52TR
3141-G33N03D52CT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
3N163 TO-72 4L ROHS
P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
MCAC100N03Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
NVTFS8D1N08HTAG
MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
