Numărul de produs al producătorului:
G2002A
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G2002A-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Descriere detaliată:
N-Channel 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
Inventar:
13002129
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G2002A Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
2.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-6L
Pachet / Carcasă
SOT-23-6
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
4822-G2002ATR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3415C-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
AOB66811L
FET N CHANNEL 80V
MCTL295N06Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L