Numărul de produs al producătorului:
G110N06K
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G110N06K-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 110A TO-252
Descriere detaliată:
N-Channel 110A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
50000 Piese Noi Originale În Stoc
12999039
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G110N06K Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
4822-G110N06KTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM60NB600CF
600V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER
G60N10T
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
TSM60NC196CI
600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
