Numărul de produs al producătorului:
G100N03D5
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G100N03D5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Descriere detaliată:
N-Channel 100A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventar:
20000 Piese Noi Originale În Stoc
12987124
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G100N03D5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-DFN (4.9x5.75)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
4822-G100N03D5TR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQS141ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
SIR4608LDP-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
DMNH6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
