G08P06D3
Numărul de produs al producătorului:

G08P06D3

Product Overview

Producător:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

G08P06D3-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Descriere detaliată:
P-Channel 8A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

Inventar:

30000 Piese Noi Originale În Stoc
12978366
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

G08P06D3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
Standard
Disiparea puterii (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-DFN (3.15x3.05)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
4822-G08P06D3TR
Pachet standard
5,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
goford-semiconductor

GT088N06T

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

goford-semiconductor

GT088N06T

MOSFET N-CH 60V 60A TO-220

goford-semiconductor

GC20N65Q

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

G70N04T

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@