Numărul de produs al producătorului:
G05N06S2
Product Overview
Producător:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
G05N06S2-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inventar:
3825 Piese Noi Originale În Stoc
12988012
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
G05N06S2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Goford Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel
Caracteristică FET
Standard
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1374pF @ 30V
Putere - Max
3.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOP
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
G05N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3141-G05N06S2CT
4822-G05N06S2TR
3141-G05N06S2TR
3141-G05N06S2DKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
WAS530M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 630A
TSM300NB06LDCR RLG
MOSFET 2N-CH 60V 5A/24A 8PDFNU
MSCSM70HM05AG
SIC 4N-CH 700V 349A
